三大存儲(chǔ)器廠今年NAND資本支出不增反減Q3NANDFlash或供過(guò)于求,7月26日訊,隨著HBM高價(jià)產(chǎn)品貢獻(xiàn)獲利的快速成長(zhǎng),帶動(dòng)產(chǎn)能排擠及產(chǎn)業(yè)供需改善,各家存儲(chǔ)器原廠2024年陸續(xù)重啟資本支出進(jìn)行投資。業(yè)界初估,三大存儲(chǔ)器供應(yīng)商的重心聚焦HBM及高價(jià)DRAM,盡管企業(yè)級(jí)儲(chǔ)存需求強(qiáng)勁,但NANDFlash市場(chǎng)仍存在供過(guò)于求隱憂,相較于過(guò)去兩年,三星電子、SK海力士及美光今年對(duì)NANDFlash資本投資不增反減。NANDFlash報(bào)價(jià)逐季走揚(yáng),各家原廠下半年的產(chǎn)能全面恢復(fù)正常水位,但市場(chǎng)估計(jì),第三季NANDFlash或微幅供過(guò)于求,而NANDFlash價(jià)格上漲也將趨于平緩。
備注:數(shù)據(jù)僅供參考,不作為投資依據(jù)。
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