京邁研 硅（Si）靶材 磁控濺射材料 電子束鍍膜蒸發(fā)料

硅（Si）靶材 磁控濺射材料 電子束鍍膜蒸發(fā)料 【參數(shù)說(shuō)明】支持靶材定制，請(qǐng)?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會(huì)盡快為您報(bào)價(jià)！！ 【產(chǎn)品介紹】有無(wú)定形硅和晶體硅兩種同素異形體。晶體硅為灰黑色，無(wú)定形硅為黑色，密度2.32-2.34克/立方厘米，熔點(diǎn)1410℃，沸點(diǎn)2355℃，晶體硅屬于原子晶體。不溶于水、硝酸和鹽酸，溶于氫氟酸和堿液。硬而有金屬光澤。

中文名	硅	熔點(diǎn)	1687K(1414℃)
化學(xué)式	Si	沸點(diǎn)	3173K(2900℃)
原子量	28.0855	密度	2.33g/cm?(18℃)

 【關(guān)于我們】服務(wù)項(xiàng)目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制。科研單位***，質(zhì)量***，售后無(wú)憂(yōu)！產(chǎn)品附件：發(fā)貨時(shí)產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝適用儀器：多種型號(hào)磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備 質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測(cè)手段，分析雜質(zhì)元素含量***材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報(bào)告。 加工流程：熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測(cè)→包裝出庫(kù)陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差，連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強(qiáng)烈建議您，選購(gòu)陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無(wú)氧銅作為背靶。注  ：高純銦的熔點(diǎn)約為156℃，靶材工作溫度超過(guò)熔點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！ 建議：陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過(guò)3W/cm2。我公司主營(yíng)金屬靶材、陶瓷靶材、合金靶材，歡迎您的垂詢(xún)。