碲化鉍,武漢鑫融(圖),99.***碲化鉍

90年代后期，四川大學太陽能材料與器件研究所，在馮良桓教授的帶領下在我國開展了碲化鎘薄膜太陽能電池的研究，在“九五”期間，承擔了科技部資助的科技攻關計劃課題：“Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體多晶薄膜太陽電池的研制”，教授采用近空間升華技術研究碲化鎘薄膜太陽能電池，并取得很好的成績。最近電池轉換效率已經突破13.38%，進入了世界***行列?！笆濉逼陂g，CdTe電池研究被列入國家高技術研究發(fā)展計劃“863”***。 碲化鎘(cadmium  telluride)由碲和鎘構成的Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料。其晶體結構為閃鋅礦型，具有直接躍遷型能帶結構。碲化鎘的物理性質碲化鎘的主要結構缺陷是填隙鎘原子，它提供n型電導，而鎘空位提供p型電導。多晶合成用純度為99.9999％的碲和鎘按元素質量比1：1稱量，并將料裝入涂碳石英管內，在真空度小于4×10-4Pa下進行物料脫氧，再在真空度小于2×10-4Pa下密封石英管。然后將密封好的石英管放入合成爐內進行多晶合成。為防止合成時鎘的迅速蒸發(fā)引起炸管，升溫必須緩慢進行，因為在碲化鎘的熔點，鎘的蒸氣壓為1MPa。當溫度升至800℃時恒溫4h，然后緩慢升溫到1100℃，整個合成時間為14h。單晶生長 合成好的多晶料可用垂直布里支曼法，碲熔劑法、氣相升華法、高壓融體生長法等生長單晶。生長速度分別為2mm／h、3mm／h、0.2mm／h、5mm／h。垂直布里支曼法是現(xiàn)在常用于生長碲化鎘單晶的方法，其生長示意圖如圖所示。生長碲化鎘單晶較困難，其原因是元素鎘和元素碲在碲化鎘生長溫度都有較高蒸氣壓，因此晶體易偏離化學配比；另-個原因是鎘易沾附石英安瓿。產品介紹產地: 中國湖北產品名稱:碲化鎘(CdTe)，4N，100目產品形狀:   棕黑色晶體粉末規(guī)格: 4N，100目產品包裝：滌綸薄膜包裝后，塑料薄膜真空封裝或玻璃管真空封裝。產品用途光譜分析。CO2激光器的Q調制。也用于制作太陽能電池，紅外調制器，HgxCdl-xTe襯底，紅外窗場致發(fā)光器件，光電池，紅外探測，X射線探測，核放射性探測器，接近可見光區(qū)的發(fā)光器件等。